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本发明提供一种集成电路用单晶硅硅片及其退火处理方法。所述的硅片其特征在于空位型缺陷的无瑕疵层深度为5~13μm；硅片厚度中心处的BMD密度不低于5×108/cm³，硅片的线性滑移位错总长小于4cm，滑移累积总面积小于8cm2。且该硅片是于非...
该专利属于上海超硅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超硅半导体有限公司授权不得商用。

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