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本发明揭示了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底的表面生长垫氧化层；在垫氧化层的表面沉积氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、垫氧化层及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽的底部和侧壁生长衬氧化层；在浅沟槽内及氮化硅层的...
该专利属于盛美半导体设备(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。

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