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一种宇航用SRAM型FPGA双阵列孔静电放电防护版图结构。本发明针对超深亚微米尤其是宇航用SRAM型FPGA的IO接口电路的静电放电防护，提出一种双阵列孔静电放电防护版图结构，由两个MOS型晶体管构成标准单元，该结构在晶体管的漏区使用双阵列...该专利属于北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所授权不得商用。