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一种具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述P型GaN层从下至上依次包括交替生...
该专利属于南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司授权不得商用。

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