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基底上的纳米棒单层及其形成方法技术
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文档序号:12805221
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本发明涉及在基底上形成纳米棒单层的方法,其中所述纳米棒至少基本上垂直对齐,所述方法包括:在基底上提供包含所述纳米棒的溶液的小滴,以及控制所述溶液的温度和蒸发,使得所述小滴的内部区域保持在接近平衡的状态,以允许形成纳米棒单层。本发明还涉及在所...
该专利属于南洋理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过南洋理工大学授权不得商用。
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