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本申请公开了一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法，包括步骤：放入AlN衬底，保持反应腔压力100-200mbar，通入流量为10000-20000sccm的NH3、100-130L/min的H2，反应腔温度升高到900-1000℃；生长...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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