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本发明公开了一种基于漏控产生电流提取MOSFET的阈值电压的方法，利用固定较大的栅电压VG使得沟道反型层处于反型状态，同时扫描漏电压VD获得漏控产生电流IDC曲线，当漏电压的增大到使得漏端边缘处的沟道开始出现耗尽时，IDC曲线开始极速增加，...
该专利属于西安邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安邮电大学授权不得商用。

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