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本发明提供一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H-SiC六方晶胞的周期性重复结构，晶胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝120°，所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成，碳硅键长为所述模型上表面沿(00...该专利属于国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司授权不得商用。