下载碳掺杂半导体器件的技术资料

文档序号:12708263

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造半导体器件的方法,包括在反应器中形成III-N半导体层以及把烃前体注入反应器中,由此碳掺杂III-N半导体层并使III-N半导体层绝缘或半绝缘。一种半导体器件,包括衬底以及衬底上的碳掺杂绝缘或半绝缘III-N半导体层。III-N半导...
该专利属于创世舫电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过创世舫电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。