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碳掺杂半导体器件制造技术
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文档序号:12708263
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一种制造半导体器件的方法,包括在反应器中形成III-N半导体层以及把烃前体注入反应器中,由此碳掺杂III-N半导体层并使III-N半导体层绝缘或半绝缘。一种半导体器件,包括衬底以及衬底上的碳掺杂绝缘或半绝缘III-N半导体层。III-N半导...
该专利属于创世舫电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过创世舫电子有限公司授权不得商用。
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