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本发明提供一种含有辅助加料结构的单晶炉及其应用，其特征在于该单晶硅生长炉内部装有辅助加料结构，该辅助加料结构带有独立的称重装置，可在辅助加料的同时，实时监控辅助原料的加入量，从而能实现单晶硅掺杂浓度的精确控制，有利于稳定单晶硅轴向电阻率，以...
该专利属于上海超硅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超硅半导体有限公司授权不得商用。

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