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本发明公开一种鳍式场效晶体管(FinFET)及其制造方法。一FinFET包括具有一上表面的一基板和一绝缘物(insulation)形成于基板的上表面上。基板上具有至少一凹陷鳍部(recessed fin)自基板上表面向上延伸。绝缘物包括邻近...
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