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本发明公开一种大尺寸发光二极管，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区上设置第一电极，在n区上设置第二电极；其特征在于：p区设置复合的多层欧姆接触层结构，ITO导电层蒸镀在复合的多层欧姆接触层结构上，第一电极设置在ITO...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

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