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本发明提供一种LED外延结构及制作方法，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、超晶格、多量子阱层以及第二导电类型半导体层，其特征在于：在所述超晶格中至少插入一层颗粒介质层，所述颗粒介质层用于在所述超晶格中形成不同宽度和深度的V型坑，...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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