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一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片的方法技术
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文档序号:12622099
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本发明涉及一种一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片,包括:以偏钨酸铵、钨酸钠中的一种或两种混合物为钨源,以硫脲为硫源,按钨源中的钨、硫源中的硫摩尔比为1:(1.8~2.5),并按钨源中的钨与NaCl的摩尔比为1:(50~600)计,将钨...
该专利属于天津大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学授权不得商用。
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