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本发明属于半导体制造领域，公开了一种测量双重图像套刻精度的方法，首先提供一枚硅片，硅片从上往下依次具有第一掩膜层、第二掩膜层以及衬底；然后刻蚀第一掩膜层以形成第一图形；接着刻蚀第二掩膜层以形成第二图形；再接着判断第一图形与第二图形之间是否存...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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