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本发明公开了一种半导体器件有源区结构的制造方法及用该方法制造的产品。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层，氧化硅层以及衬底，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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