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侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域。通过外延片上的金属键合层和永久衬底上的金属键合层，将外延片键合到永久衬底上，形成键合的半制品；再去除键合好的半制品上的临时衬底、缓冲层和截止层，露出欧姆接触层；并蚀刻图形化欧...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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