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本发明涉及一种利用晶种由容纳在坩埚中的硅熔体生长铸锭的装置。该装置包括：腔室，该腔室包括容放该坩埚的下部和生长的铸锭穿过的上部；以及冷却速率控制单元，该冷却速率控制单元设置在该腔室的上部以延伸到该腔室的下部，并且具有生长的铸锭穿过的孔，其中...
该专利属于LG矽得荣株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG矽得荣株式会社授权不得商用。

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