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本发明公开了一种基于GeSn/SiGeSn材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有基于IV族材料的隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)和漏极(4)。源极采用Sn组分为[0.05,0.12]的单晶Ge...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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