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一种MOSFET芯片封装结构制造技术
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文档序号:12509488
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本实用新型涉及一种MOSFET芯片封装结构,封装结构包括单颗MOSFET芯片,载板,所述单颗MOSFET芯片正面通过其上的凸点与载板上的载板焊盘进行连接,且所述单颗MOSFET芯片背面通过导电层与所述载板焊盘进行连接,且,导电层的一部分通过...
该专利属于宁波芯健半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宁波芯健半导体有限公司授权不得商用。
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