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一种Al组分渐变式N型LED结构及其制备方法技术
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文档序号:12487533
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一种Al组分渐变式N型LED结构及其制备方法,其结构由下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、N型AlYInXGa1‐X‐YN层、多量子阱发光层和P型GaN层,N型AlYInXGa1‐X‐YN层中,0≤X≤1,0<Y<1;N型GaN...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。
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