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本发明涉及一种石墨烯场效应晶体管，所述晶体管通过在有源区部分设计具有跨越源、漏端特征的顶栅结构，从而在同一栅长下有源区上方的栅图形实际尺寸比传统石墨烯顶栅场效应晶体管对应部分的图形尺寸大，在相同的电子束直写曝光套刻对准精度下提高了器件制作的...
该专利属于国家纳米科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过国家纳米科学中心授权不得商用。

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