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一种间隔物蚀刻工艺，其产生用于与绝缘栅极晶体管一起使用的绝缘栅极的超窄多晶硅与栅极氧化物。使用电介质及间隔物薄膜沉积技术来形成窄沟道。从所述电介质移除所述间隔物薄膜，其中在所述电介质中形成窄沟道。在暴露于这些窄沟道底部的半导体衬底的部分上生...
该专利属于密克罗奇普技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过密克罗奇普技术公司授权不得商用。

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