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公开了将3D堆叠式存储设备中的NAND串编程至导电状态。可以通过增大存储元件的Vt来擦除存储元件，可以通过减小存储元件的Vt来对存储元件编程。编程可以包括对选中位线施加一系列增大的电压直到选中存储单元被编程为止。未选中位线可以被保持为几乎地...
该专利属于桑迪士克技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克技术有限公司授权不得商用。

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