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本发明涉及一种应变Ge槽型栅CMOS集成器件制备方法及其CMOS集成器件，该制备方法包括:选取SOI衬底；生长SiGe层、应变Ge层及应变Si帽层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；利用干法刻蚀工艺在NMOS有源区表面指定的NMOS栅极区域刻蚀形成...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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