温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种制作半导体器件的方法,在研磨和/或抛光TSV器件背面以露出硅通孔之后回刻蚀金属铜层,以阻止金属铜扩散和提高器件的可靠性。根据本发明的制作方法,采用背面晶片级封装(WLP)工艺提高了硅通孔的可靠性;同时,在执行研磨和抛光之后没有...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及一种制作半导体器件的方法,在研磨和/或抛光TSV器件背面以露出硅通孔之后回刻蚀金属铜层,以阻止金属铜扩散和提高器件的可靠性。根据本发明的制作方法,采用背面晶片级封装(WLP)工艺提高了硅通孔的可靠性;同时,在执行研磨和抛光之后没有...