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本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的金属互连结构；在所述层间介电层和所述金属互连结构表面沉积形成无定形硅层；进行热处理，以形成第一金属覆盖层；采用含硼化合...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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