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本发明涉及一种Ge量子点的制备方法，该方法为室温下直接在石墨烯上生长Ge量子点。该方法提供了一种可以实现小尺寸、高密度Ge量子点的制备方法，无需后续退火等复杂工艺，简化了工艺流程。本发明利用了石墨烯与Ge量子点的低相容性，保证了Ge量子点的...
该专利属于云南大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南大学授权不得商用。

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