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本发明提供一种改善关键尺寸均匀性的方法，至少包括以下步骤：S1：提供一表面形成有光阻层的晶圆，进行曝光及显影以在所述光阻层中形成若干开口；S2：对所述晶圆进行电浆预处理以去除所述开口底部残留的光阻；S3：对所述晶圆进行Ar/O2电浆处理以进...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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