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本发明提供一种晶体管的形成方法,对栅极结构露出的衬底进行刻蚀之前,先在所述栅极结构露出的衬底上进行外延生长,形成外延层,这样在对栅极结构露出的衬底进行刻蚀的过程中,需要先刻蚀所述外延层,使得刻蚀而成的Σ形凹槽的六边形的尖端的水平位置提高,缩...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种晶体管的形成方法,对栅极结构露出的衬底进行刻蚀之前,先在所述栅极结构露出的衬底上进行外延生长,形成外延层,这样在对栅极结构露出的衬底进行刻蚀的过程中,需要先刻蚀所述外延层,使得刻蚀而成的Σ形凹槽的六边形的尖端的水平位置提高,缩...