专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
上海北京大学微电子研究院
>
一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构制造技术
>技术资料下载
下载一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构的技术资料
文档序号:12397876
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构,其中包括阶梯型埋氧层和双层复合介质埋层结构,埋氧层从源端到漏端成阶梯型,在漏洞下方为双层复合介质埋层。该阶梯型埋氧层为双面阶梯型,层复合介质埋层中间填充多晶硅,且两层埋氧层开有窗口。...
该专利属于上海北京大学微电子研究院所有,仅供学习研究参考,未经过上海北京大学微电子研究院授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。