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本发明公开了一种晶圆级扇出封装的制作方法,它包括以下步骤:在基板的上表面通过粘结剂贴装芯片;在基板的上表面进行塑封成型,塑封材料层将芯片封装;在塑封材料层的上表面涂上介电材料,形成介电层;去除对应芯片的输入输出端位置的介电层,再在去除部位形...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶圆级扇出封装的制作方法,它包括以下步骤:在基板的上表面通过粘结剂贴装芯片;在基板的上表面进行塑封成型,塑封材料层将芯片封装;在塑封材料层的上表面涂上介电材料,形成介电层;去除对应芯片的输入输出端位置的介电层,再在去除部位形...