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本发明提出了一种EUV光刻装置及其曝光方法，由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和...
该专利属于上海微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微电子装备有限公司授权不得商用。

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