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本发明公开了一种UV发光装置及其制造方法。该方法包括在衬底上形成包括AlxGa(1-x)N的第一超晶格层，在所述第一超晶格层上形成包括AlzGa(1-z)N的牺牲层，部分地去除牺牲层，在牺牲层上形成外延层以及将衬底与外延层分离，其中，牺牲层...
该专利属于首尔伟傲世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过首尔伟傲世有限公司授权不得商用。

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