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本发明涉及一种制作半导体器件的方法，本发明提出了一种新的去除Core区域中虚拟栅极氧化层的方法，采用牺牲层覆盖IO器件区域来去除Core区域中的虚拟栅极氧化层，以避免对半导体器件产生损伤的问题，最终提高了半导体器件的性能。本发明的制作方法适...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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