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本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆正面依次形成吸气层和阻挡层；在所述阻挡层上形成电子元件层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的背面形成有凹槽；进行键合工艺，以将所述第一晶圆正面和所述第二晶圆背面相结合，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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