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本发明公开了一种测量单晶硅代位碳和间隙氧含量的方法，属于半导体材料检验与分析领域。将参比硅片与样品硅片分别放置在多次透射-反射测量附件的样品固定架上，采用p-线偏振红外光束经过N次透射与反射过程；p线偏振红外光束到达红外检测器，得到红外吸收...
该专利属于南京秀科仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京秀科仪器有限公司授权不得商用。

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