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本发明公开了提出一种新的双埋层并且双埋层都具有双面界面电荷岛结构，双埋层的双面界面电荷岛处于交叉状态的SOI高压器件。该结构在SOI器件上下介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓度N+区及P+区。由于上下介质层的电场分析相似，以上介质层...
该专利属于上海北京大学微电子研究院所有，仅供学习研究参考，未经过上海北京大学微电子研究院授权不得商用。

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