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本发明涉及一种超辐射发光二极管芯片的制备方法，该方法包括：一次外延的步骤、形成脊的步骤、二次外延的步骤、形成隔离区的步骤、蒸发P型电极的步骤、蒸发N型电极、合金的步骤、镀膜的步骤。本发明还涉及由上述制备方法制得的超辐射发光二极管芯片。本发明...
该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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