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一种N掺杂SiC纳米针及其应用制造技术
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下载一种N掺杂SiC纳米针及其应用的技术资料
文档序号:12384821
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本发明涉及一种N掺杂SiC纳米针及其应用。该N掺杂SiC纳米针种N原子掺杂量为2-10at%,纳米针长为1-100μm,针尖端的直径为50-500nm。该N掺杂SiC纳米针作为柔性场发射阴极材料。本发明的N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料...
该专利属于宁波工程学院所有,仅供学习研究参考,未经过宁波工程学院授权不得商用。
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