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本发明提供了一种GaN层生长方法及所得LED外延层和LED芯片，其中生长方法，包括以下步骤：S1步骤：在950℃下，反应压力为400～500mbar的条件下，在GaN成核层上持续生长200～400s的第一GaN层；S2步骤：然后升温至100...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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