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本发明涉及一种镓硼锗共掺单晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：镓元素1.02×1015-1.02×1017atoms/cm3，硼元素1×1015-1...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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