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本发明提供了一种GaAs HBT器件。该GaAs HBT器件包括衬底、N型GaAs集电区、P型GaAs基区、N型InGaP发射区、N型InGaAs帽层、介质层和TaN薄膜。N型集电区形成在衬底上，其表面划分为电极区域和非电极区域，所有区域形...
该专利属于成都嘉石科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都嘉石科技有限公司授权不得商用。

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