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本发明提供一种氧化物半导体TTF基板的制作方法及其结构。该方法连续成膜栅极绝缘层(3)、氧化物半导体层(4’)、及蚀刻阻挡层(5’)，使用一道半色调光罩或狭缝衍射光罩对氧化物半导体层(4’)与蚀刻阻挡层(5’)进行图案化处理，先形成层叠的岛...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。