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本发明公开了一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法。本发明采用了AgCuIn合金作为键合金属层，键合温度与保持时间降低；AgCuIn键合可以在较低的键合温度与键合压力下完成，键合时间缩短，有利于减少键合过程对LED外延层的光电...该专利属于北京大学;北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学;北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司授权不得商用。