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设置于n-漂移层的一侧的表面层的p层通过多个沟槽(4)而被分割为p基区(5)以及浮置p区(6)。在沟槽(4)的p基区(5)侧的侧壁上隔着第一绝缘膜(8a)设置有第一栅电极(9a)，在浮置p区(6)侧的侧壁上隔着第二绝缘膜(8b)设置有屏蔽电...
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