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本发明提供了一种存储器元件的形成方法，包括：在一第一电极上形成一电阻转换层；在该电阻转换层上形成一第二电极；对该电阻转换层提供一形成电压使该电阻转换层的电阻变小；在提供该形成电压后，对该电阻转换层提供一初始重置电压使该电阻转换层的电阻变大；...
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