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一种垂直场效应二极管及制造方法，属于半导体器件制造领域。其特征在于：包括衬底，衬底上方为与衬底类型相同的外延层，外延层的上端面向下间隔开有多个沟槽（9），沟槽（9）内填充有与外延层的交界面形成P-N结的填充介质，在衬底的下部以及沟槽（9）的...
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