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本发明涉及高电阻率碳化硅。在此提供了一种再结晶的碳化硅本体，该再结晶的碳化硅本体具有不小于约1E5Ω cm的电阻率以及包括结合在该本体之中的氮原子的氮含量，其中该氮含量是不大于约200ppm。...
该专利属于圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司授权不得商用。

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