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本发明公开了基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法，栅电极采用厚度为100～300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底；形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层；嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅，作为电荷存储单元；形成于浮栅表...
该专利属于兰州大学所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学授权不得商用。

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